Următorul articol explică principalele caracteristici ale mosfetului IRF3205, care este în mod fundamental evaluat cu curent de scurgere la 110 Amperi masivi și tensiune de până la 55 V, ideal pentru aplicații invertor, control motor, tocătoare și convertoare.

Caracteristici principale

MOSFET-urile HEXFET® Power N-Channel de vârf ale IRF3205 de la International Rectifier implementează soluții de procesare de înaltă tehnologie pentru a obține o rezistență incredibil de minimă pe spațiul de siliciu.

Acest avantaj, alături de rata de conversie rapidă și aspectul sistemului robust pentru care sunt populare MOSFET-urile cu putere HEXFET, oferă dezvoltatorului un produs extrem de eficient din punct de vedere al costurilor și de încredere pentru a fi utilizat într-o serie de programe.

Pachetul TO-220 este favorizat la nivel mondial pentru majoritatea scopurilor comerciale-industriale în etapele de disipare a puterii la aproximativ 50 de wați. Rezistența termică minimă și prețul redus al pachetului TO-220 joacă un rol în recunoașterea sa extinsă pe piață.

Specificatii tehnice

Specificațiile sale tehnice pot fi înțelese cu următoarele date:

Curent continuu de scurgere, VGS @ 10V = 110 A
Curent de scurgere pulsat = 390 A
La 25 ° C Disipare de putere = 200 W
Factor liniar de reducere = 1,3 W / ° C
Tensiunea de la poartă la sursă = ± 20 V
Curent de avalanșă = 62 A
Energie de avalanșă repetitivă = 20 mJdv / dt
Recuperare diodă de vârf dv / dt = 5,0 V / ns
Temperatura de joncțiune de funcționare și lipire, timp de 10 secunde = 300 (1,6 mm de carcasă) ° C Puteți face referire la foaie de date originală pentru mai multe informatii

Detalii Pinout

Detaliile de identificare a mosfetului IRF3205 pot fi observate în imaginea de mai jos:

“ce diferențiază Mac de sistemele de operare anterioare ”

Ținând dispozitivul drept cu partea imprimată spre tine, pinul din stânga va fi poarta, centrul va fi de scurgere, în timp ce pinout-ul din partea dreaptă va fi sursa mosfetului

O aplicație tipică

Realizarea unui invertor simplu de 500 până la 5000 de wați utilizând mosfet IRF3205.

Un invertor de cincizeci de wați discutat într-una din postările mele anterioare poate fi ușor transformat într-un invertor masiv de 500 de wați prin simpla înlocuire a MOSFET-urilor sale cu tipul de mai sus.